特許
J-GLOBAL ID：201403055003320000

磁気メモリ素子およびそれを用いる記憶装置

発明者：
山田 三千矢

山田 三千矢 について

, 
荻本 泰史

荻本 泰史 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170692
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254981
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
【課題】 磁気メモリ素子を微細化しても磁化の熱安定性を確保する。【解決手段】第1の磁性層、第1の磁性層に積層した絶縁層および絶縁層に積層した第2の磁性層を備える磁気トンネル接合部を下部電極と上部電極間に設け、第1の磁性層および第2の磁性層の少なくともいずれかを、その磁性層の磁化容易軸方向に伸びるように歪み変形させた磁気メモリ素子であって、第1の磁性層の側面と第2の磁性層の側面とに接するように、第1の磁性層の側面と第2の磁性層の側面とを他の金属から絶縁する層間絶縁膜が備えられており、第1の磁性層および第2の磁性層の少なくともいずれかを層間絶縁膜によって側面から圧縮して歪み変形させることを特徴とする磁気メモリ素子。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
第1の磁性層、該第1の磁性層に積層した絶縁層および該絶縁層に積層した第2の磁性層を備える磁気トンネル接合部を下部電極と上部電極間に設け、 前記第1の磁性層および前記第2の磁性層の少なくともいずれかを、その磁性層の磁化容易軸方向に伸びるように歪み変形させた磁気メモリ素子であって、 前記第1の磁性層の側面と前記第2の磁性層の側面とに接するように、前記第1の磁性層の側面と前記第2の磁性層の側面とを他の金属から絶縁する層間絶縁膜が備えられており、 前記第1の磁性層および前記第2の磁性層の少なくともいずれかを前記層間絶縁膜によって側面から圧縮して歪み変形させることを特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (45件)：
4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF16 ,  4M119JJ04 ,  4M119KK09 ,  4M119KK16 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BC42 ,  5F092CA03 ,  5F092FA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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