特許
J-GLOBAL ID:201403058588120809

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-233481
公開番号(公開出願番号):特開2014-087148
出願日: 2012年10月23日
公開日(公表日): 2014年05月12日
要約:
【課題】DC/DCコンバータ回路の単純化を図りつつ、電源効率を向上させる。【解決手段】DC/DCコンバータ回路CC1を備え、DC/DCコンバータ回路CC1は、入力端子IT1に接続する第1ドレイン電極と、出力端子OT1に接続する第1ソース電極と、を有し、二次元電子ガス層を有する第1化合物半導体基板に形成され、かつノーマリオフ型であるトランジスタHT1と、第1ソース電極に接続する第2ドレイン電極と、接地されている第2ソース電極と、を有するトランジスタLT1と、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
DC/DCコンバータ回路を備え、 前記DC/DCコンバータ回路は、 入力端子に接続する第1ドレイン電極と、出力端子に接続する第1ソース電極と、を有し、二次元電子ガス層を有する第1化合物半導体基板に形成され、かつノーマリオフ型である第1トランジスタと、 前記第1ソース電極に接続する第2ドレイン電極と、接地されている第2ソース電極と、を有する第2トランジスタと、 を含む半導体装置。
IPC (3件):
H02M 3/155 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H02M3/155 T ,  H01L25/04 C
Fターム (7件):
5H730AA14 ,  5H730AA15 ,  5H730AS05 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730DD32 ,  5H730EE13
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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