特許
J-GLOBAL ID：201403081431885439
光デバイスの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松本 昂
, 大上 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-132746
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258231
出願日： 2012年06月12日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：
【課題】 サファイア基板の反りの発生を防止可能な光デバイスの加工方法を提供することである。【解決手段】 光デバイスの加工方法であって、サファイア基板の表面に複数の溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、該サファイア基板の表面にエピタキシャル膜を成膜して複数の光デバイスと該光デバイスを区画する交差した複数の分割予定ラインを形成する成膜ステップと、該成膜ステップを実施した後、該エピタキシャル膜が成膜されたサファイア基板を該分割予定ラインに沿って分割して複数の光デバイスを形成する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光デバイスの加工方法であって、
サファイア基板の表面に複数の溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、該サファイア基板の表面にエピタキシャル膜を成膜して複数の光デバイスと該光デバイスを区画する交差した複数の分割予定ラインを形成する成膜ステップと、
該成膜ステップを実施した後、該エピタキシャル膜が成膜されたサファイア基板を該分割予定ラインに沿って分割して複数の光デバイスを形成する分割ステップと、
を備えたことを特徴とする光デバイスの加工方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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