湾曲結晶の製造方法および湾曲結晶

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 鈴木治 , 山口雄輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147355
公開番号（公開出願番号）：特開2014-009131
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】本発明は、所望の曲率を有する湾曲結晶を低コストで得ることのできる湾曲結晶の製造方法、および、所望の曲率を有する製造コストの低い湾曲結晶を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の湾曲結晶の製造方法は、結晶基板上に炭素系材料を直接蒸着して、前記結晶基板を湾曲させる工程を含むことを特徴とする。また、本発明の湾曲結晶は、上記の製造方法により製造されたことを特徴とするものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶基板上に炭素系材料を直接蒸着して、前記結晶基板を湾曲させる工程を含むことを特徴とする、湾曲結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 33/00 , H01L 21/314 , G21K 1/06 , G21K 1/00 , C23C 14/06 , C23C 16/27

FI (7件)：

C30B33/00 , H01L21/314 A , G21K1/06 D , G21K1/06 C , G21K1/00 X , C23C14/06 F , C23C16/27

Fターム (27件)：

4G077AA02 , 4G077AB10 , 4G077BA04 , 4G077BA05 , 4G077FJ02 , 4G077FJ06 , 4G077HA20 , 4K029BA34 , 4K029BB10 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030CA04 , 4K030DA03 , 4K030FA03 , 5F058BA12 , 5F058BC14 , 5F058BD18 , 5F058BE04 , 5F058BF02 , 5F058BF05 , 5F058BF07 , 5F058BF11 , 5F058BF12 , 5F058BF18 , 5F058BF19 , 5F058BF26 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (8件)

シリコン基板の反り変形方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-025646 出願人：科学技術振興事業団
硬質物質被覆ウエハ-及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-165914 出願人：住友電気工業株式会社
ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-066992 出願人：キヤノン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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