特許
J-GLOBAL ID：201403090709313848
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-092227
公開番号（公開出願番号）：特開2014-216459
出願日： 2013年04月25日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：
【課題】絶縁信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置1は、半導体素子2と、半導体素子2を搭載し、かつ、当該半導体素子2からの発熱を拡散する熱拡散板であるヒートスプレッダ4と、半導体素子2およびヒートスプレッダ4を封止する封止樹脂8とを備えている。ヒートスプレッダ4における半導体素子2が搭載された領域の外周部に溝9が形成され、溝9は、半導体素子2から溝9の端部までの距離が0〜0.3mm、溝9の開口幅が0.1mm〜2mm、および溝9の最大深さが0.1mm〜ヒートスプレッダ4の板厚の3/4以下に形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、
前記半導体素子を搭載し、かつ、当該半導体素子からの発熱を拡散する熱拡散板と、
前記半導体素子および前記熱拡散板を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記熱拡散板における前記半導体素子が搭載された領域の外周部に溝が形成され、
前記溝は、前記半導体素子から前記溝の端部までの距離が0〜0.3mm、前記溝の開口幅が0.1mm〜2mm、および前記溝の最大深さが0.1mm〜前記熱拡散板の板厚の3/4以下に形成された、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
H01L23/36 C
, H01L25/04 C
, H01L23/12 J
5F136BB04
, 5F136BC03
, 5F136BC05
, 5F136DA08
, 5F136DA27
, 5F136EA29
, 5F136FA02
, 5F136FA03
審査官引用 (15件)
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特開昭60-200546
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特開昭60-200546
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特開平1-270336
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