特許
J-GLOBAL ID：201403094556152071

マスク層のエッチング速度と選択性の増大

発明者：
ブラウン,イアン ジェイ

ブラウン,イアン ジェイ について

, 
プリンツ,ウォーレス ピー

プリンツ,ウォーレス ピー について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-502891
公開番号（公開出願番号）：特表2014-510417
出願日： 2012年03月31日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：
基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させる方法及びシステムが供される。当該システムは、前記マスク層とシリコン又はシリコン酸化物の層を含む複数の基板、前記マスク層をエッチングするための処理液体を含んで前記複数の基板を処理するエッチング処理チャンバ、及び、前記エッチング処理チャンバと結合して昇圧して蒸気と水蒸気の混合物を供給する沸騰装置を有する。前記蒸気と水蒸気の混合物は、選択されたエッチング速度と、前記マスク層とシリコン又はシリコン酸化物とのエッチング選択比の目標値を維持するように、制御された速度で前記エッチング処理チャンバへ導入される。
請求項（抜粋）：
基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させるシステムであって: 前記マスク層とシリコン又はシリコン酸化物の層を含む複数の基板; 前記マスク層をエッチングするための処理液体を含んで前記複数の基板を処理するエッチング処理チャンバ;及び、 前記エッチング処理チャンバと結合して昇圧して蒸気と水蒸気の混合物を供給する沸騰装置; を有し、 前記蒸気と水蒸気の混合物は、選択された目標エッチング速度と、シリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層の選択された目標エッチング選択比を維持するのに十分な速度で前記エッチング処理チャンバへ導入される、 システム。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (2件)：
H01L21/306 E ,  H01L21/308 E
Fターム (5件)：
5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043EE10 ,  5F043EE27 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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