特許
J-GLOBAL ID：201403097807930132

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者：
庄 浩太郎

庄 浩太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-031327
公開番号（公開出願番号）：特開2014-160778
出願日： 2013年02月20日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：
【課題】ステージの表面に付着した異物を効果的に低減することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は、真空チャンバを備える。第1のステージは、レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する。第2のステージは、真空チャンバ内においてレチクルを用いて半導体基板を露光するために第1のステージに装着した後のレチクルを装着する。露光部は、第2のステージに装着されたレチクルを用いて半導体基板の表面を露光する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、 レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する第1のステージと、 前記真空チャンバ内において前記レチクルを用いて半導体基板を露光するために該レチクルを装着する第2のステージと、 前記第2のステージに装着された前記レチクルを用いて前記半導体基板の表面を露光する露光部とを備え、 前記第1のステージのレチクル装着面は、粘着性材料または弾性材料で形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (4件)：
H01L21/30 531Z ,  H01L21/30 503B ,  H01L21/30 515F ,  G03F7/20 503
Fターム (6件)：
2H097DA20 ,  2H097LA10 ,  5F146GA12 ,  5F146GA21 ,  5F146GA24 ,  5F146GA28
引用特許：
審査官引用 (12件)
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