特許
J-GLOBAL ID：201403098187806963

マイクロミラーデバイスの製造方法

発明者：
田中 秀治

田中 秀治 について

, 
鈴木 裕輝夫

鈴木 裕輝夫 について

, 
江刺 正喜

江刺 正喜 について

, 
戸津 健太郎

戸津 健太郎 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232269
公開番号（公開出願番号）：特開2014-085409
出願日： 2012年10月19日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：
【課題】簡易かつ安価に製造することができるマイクロミラーデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板20の少なくとも表面に酸化シリコン膜21が形成され、酸化シリコン膜21上に平坦化したエピポリシリコン膜23を形成し、このエピポリシリコン膜23を酸化シリコン膜21に達するまで貫通エッチングし、酸化シリコン膜21上にマイクロミラーデバイス構造を形成する(f)。その後、少なくとも前記マイクロミラーデバイス構造の内部貫通部hを跨いで内部貫通部hを一時補強する一時補強シリコン部20aを残して、シリコン基板20を裏面からエッチングする(g)。その後、酸化シリコン膜21をエッチングして、一時補強シリコン部20aを除去し、マイクロミラーデバイス構造をリリースする(h)。【選択図】図2B
請求項（抜粋）：
シリコン基板の少なくとも表面に酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、 前記酸化シリコン膜上に平坦化したシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、 前記シリコン膜を前記酸化シリコン膜に達するまで貫通エッチングし、前記酸化シリコン膜上にマイクロミラーデバイス構造を形成するデバイス形成工程と、 少なくとも前記マイクロミラーデバイス構造の内部貫通部を跨いで前記内部貫通部を一時補強する一時補強シリコン部を残して、前記シリコン基板を裏面からエッチングする裏面エッチング工程と、 前記酸化シリコン膜をエッチングして、前記一時補強シリコン部を除去し、マイクロミラーデバイス構造をリリースする除去工程と、 を含むことを特徴とするマイクロミラーデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
G02B 26/08 ,  B81C 1/00 ,  G02B 26/10
FI (3件)：
G02B26/08 E ,  B81C1/00 ,  G02B26/10 104Z
Fターム (35件)：
2H045AB13 ,  2H045AB38 ,  2H045AB81 ,  2H141MA12 ,  2H141MB24 ,  2H141MC04 ,  2H141MC07 ,  2H141MC09 ,  2H141MD13 ,  2H141MD16 ,  2H141MD20 ,  2H141MD24 ,  2H141MF07 ,  2H141MF08 ,  2H141MF21 ,  2H141MF26 ,  2H141MG01 ,  2H141MG03 ,  2H141MG04 ,  2H141MZ06 ,  2H141MZ16 ,  2H141MZ19 ,  2H141MZ25 ,  3C081AA18 ,  3C081BA07 ,  3C081BA28 ,  3C081BA44 ,  3C081BA47 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA20 ,  3C081CA29 ,  3C081DA04 ,  3C081DA45
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM