特許
J-GLOBAL ID：201403098269251129
撮像素子、半導体集積回路及び撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033593
公開番号（公開出願番号）：特開2014-030170
特許番号：特許第5421475号
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 外形形状が同一の第一半導体素子と第二半導体素子を互いの第二半導体面が対向するように積層した構造において、第一半導体素子の第一半導体面を二次元画像情報の入力面となる受光領域とし、第一半導体素子の第二半導体面に画素回路及びグローバル配線層を有し、第二半導体素子の第一半導体面には入出力端子を有し、第二半導体素子の第二半導体面には垂直走査回路、水平走査回路、水平読み出し回路を有した構造であって、前記垂直走査回路、前記水平走査回路、前記水平読み出し回路は、平面視座上、前記受光領域の内部に位置するように配置され、かつ前記垂直走査回路の長手方向と前記水平走査回路の長手方向が平行であることを特徴とするMOSセンサ。
IPC (5件)：
H04N 5/374 ( 201 1.01)
, H04N 5/225 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 27/14 ( 200 6.01)
, A61B 1/04 ( 200 6.01)
H04N 5/335 740
, H04N 5/225 D
, H01L 27/14 A
, H01L 27/14 D
, A61B 1/04 370
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (17件)
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