薄膜を含む磁気層

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-246158
公開番号（公開出願番号）：特開2014-112677
出願日： 2013年11月28日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
要約：

【課題】高温にさらされても一軸異方性および磁気モーメントを維持することが可能な熱的に安定した磁気薄膜を提供する。【解決手段】装置および関連付けられた方法が、調整された異方性および磁気モーメントを呈する薄膜として説明される。様々な実施例は、所定の基板温度に冷却された基板上への材料の堆積によって所定の異方性128および磁気モーメントに調整された磁気層120を形成し得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

所定の異方性および磁気モーメントに調整され、極低温基板上に形成された磁気層を備える薄膜。

IPC (7件)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01F 10/14 , H01F 41/18

FI (6件)：

H01L43/12 , G11B5/39 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01F10/14 , H01F41/18

Fターム (23件)：

4M119AA17 , 4M119AA19 , 4M119BB00 , 4M119JJ03 , 5D034BA05 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049BA06 , 5E049BA11 , 5E049CB01 , 5E049EB05 , 5E049GC01 , 5F092AA08 , 5F092AA11 , 5F092AA15 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC04 , 5F092AD22 , 5F092BB42 , 5F092CA02 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気抵抗効果素子薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-105756 出願人：日本電気株式会社
MRAMセルのための磁気異方性を誘導するための斜め堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-517586 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
特開昭62-238614

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