研究者
J-GLOBAL ID:201501062120386078
更新日: 2024年02月01日
亀井 一人
カメイ カズヒト | Kamei Kazuhito
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所属機関・部署:
日鉄テクノロジー(株) 尼崎事業所
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職名:
専門主幹
ホームページURL (1件):
https://kaken.nii.ac.jp/d/r/10527576.ja.html
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (1件):
2013 - 2016 高品質・低抵抗SiC結晶の実現
論文 (8件):
Yonemura Mitsuharu, Naga Shoichi, Kamei Kazuhito. Tunnel-type Giant Magnetoresistance in Co-Al-Ta-O Insulated Granular System. Japanese Journal of Applied Physics. 2001. 40. 2. 740-745
Yonemura Mitsuharu, Sueoka Koji, Kamei Kazuhito. Analysis of Local Lattice Strain Around Oxygen Precipitates in Czochralski-Grown Silicon Wafers Using Convergent Beam Electron Diffraction. Japanese Journal of Applied Physics. 1999. 38. 6. 3440-3447
K Kamei, Y Maehara. Magnetic properties and microstructure of electrodeposited Fe-P amorphous alloy. JOURNAL OF APPLIED ELECTROCHEMISTRY. 1996. 26. 5. 529-535
Yoshitaka Adachi, Kazuhito Kamei. Tem study of diffusional α-Fe/Zn interface (nano-scale-characterization of galvannealed steel). Acta Metallurgica Et Materialia. 1995. 43. 8. 3189-3197
K KAMEI, Y MAEHARA. STRUCTURE AND MAGNETIC-PROPERTIES OF PULSE-PLATED FE-P AND FE-CU-P AMORPHOUS-ALLOYS. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING. 1994. 181. 906-910
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MISC (29件):
亀井 一人. 溶液成長によるSiC単結晶の育成 (特集 時代が求める「シリコンカーバイド」(プロセス編)). 工業材料. 2009. 57. 12. 28-31
亀井 一人, 楠 一彦, 矢代 将斉. 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第13回)SiC単結晶の溶液成長. オプトロニクス. 2008. 27. 5. 157-162
亀井 一人, 井上 茂, 伊藤 豊. 溶液成長法によるAlN単結晶の育成(<小特集>基板結晶). 日本結晶成長学会誌. 2005. 32. 1. 20-23
米村 光治, 亀井 一人, 末岡 浩治. 収束電子線回析法によるSiウェーハ中酸素析出物近傍の歪み分布解析. まてりあ : 日本金属学会会報. 2000. 39. 12. 988-988
柴垣 茂樹, 亀井 一人. チタン酸ストロンチウム系半導体コンデンサーの粒界構造のTEM観察. 日本セラミックス協会学術論文誌 : Nippon Seramikkusu Kyokai gakujutsu ronbunshi. 2000. 108. 1259. 666-672
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特許 (10件):
SiC単結晶の製造方法
SiC単結晶の製造方法
SiC単結晶の製造装置及び製造方法
SiC単結晶の製造方法
SiC単結晶の製造方法
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経歴 (1件):
2013 - 2014 名古屋大学
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