文献

J-GLOBAL ID：201502208148381410   整理番号：15A1189586

ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現

Highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors with fluorine in a gate insulator

著者 (7件)： 山崎はるか (奈良先端科学技術大学院大) ,  石河泰明 (奈良先端科学技術大学院大) ,  藤井茉美 (奈良先端科学技術大学院大) ,  BERMUNDO Juan Paolo (奈良先端科学技術大学院大) ,  高橋英治 (日新電機) ,  安東靖典 (日新電機) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 195(EMD2015 30-59)  ページ： 9-11  発行年： 2015年08月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,透明アモルファス酸化物半導体であるa-lnGaZnO(a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は,次世代のディスプレイ用駆動素子として位置づけられ注目されている。しかし実動作環境下においてa-IGZO TFTの電気特性の劣化という信頼性についての問題が盛んに議論されている。我々は,絶縁膜材料にフッ素を含有させることで正方向電圧ストレス条件下における信頼性を改善することに成功した。本発表では絶縁膜と半導体層の界面に着目し結合状態の解析を行うことでフッ素の挙動の検証と,信頼性改善のメカニズムを明らかにすることを目的とする。(著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *フッ素 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *信頼性 ,  *薄膜トランジスタ ,  非晶質半導体 ,  電気特性 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  *高信頼性 ,  電圧ストレス ,  透明アモルファス酸化物半導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hideo, and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors“ Nature 432, 488-492 Nov. 2004.
• M. Fujii, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. S. Jung, and J. Y. Kwon, “Experimental and Theoretical Analysis of Degradation in Ga₂O₃-In₂O₃-ZnO Thin-Film Transistors“ Jpn. J. Appl. Phys. 48, 04C091 Apr. 2009.
• K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In-Ga-Zn-O thin-film transistors“ Appl. Phys. Lett. 95, 013502 May 2009.
• K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, “Highly stable amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors produced by eliminating deep subgap defects“ Appl. Phys. Lett. 99, 053505 Apr. 2011.
• H. Yamazaki, Y. Ishikawa, M. Fujii, Y. Ueoka, M. Fujiwara,E. Takahashi, Y. Andoh, N. Maejima, H. Matsui, F. Matsui, H. Daimon, and Y. Uraoka, “The Influence of Fluorinated Silicon Nitride Gate Insulator on Positive Bias Stability toward Highly Reliable Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors“ J. Solid State Sci. and Technol. 3, Q20 Sep. 2014

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート絶縁膜 ,  フッ素 ,  高信頼性 ,  TFT