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J-GLOBAL ID：201502219016916180   整理番号：15A1401127

反応性プラズマ蒸着法で作製したGa添加ZnO薄膜の構造,電気及び光学特性

Structural, Electrical and Optical Properties of ZnO:Ga Films Grown by Reactive Plasma Deposition with a DC Arc Discharge

著者 (6件)： 寺迫智昭 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  野本淳一 (高知工科大 総合研) ,  牧野久雄 (高知工科大 総合研) ,  矢木正和 (香川高専) ,  白方祥 (愛媛大 大学院理工学研究科) ,  山本哲也 (高知工科大 総合研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 250(CPM2015 76-82)  ページ： 1-4  発行年： 2015年10月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 反応性プラズマ蒸着法によって作製されたガリウム添加酸化亜鉛(GZO)薄膜の構造,電気及び光学特性のキャリア濃度依存性が検討された。X線回折測定からキャリア濃度nとa軸方向に沿った圧縮性応力及びc軸方向に沿った伸長応力に相関があることが明らかになった。光学ギャップエネルギーのキャリア濃度依存性は,Burstein-Mossシフトによるバンドギャップの広がりの効果と電子-電子及び電子-不純物相互作用によるバンドギャップの縮小の効果を取り入れることで説明できた。バンド端(NBE)フォトルミネッセンス(PL)のピークエネルギーと半値幅及びNBE発光に対するPLEスペクトルの“knee”のキャリア濃度依存性は,Mott密度(3.7×10¹⁹cm^-3)に近いn=4.0×10¹⁹cm^-3を境に変化した。GZO薄膜の移動度は結晶粒内散乱に支配されており,その主要な散乱機構はキャリア濃度の増加とともにイオン化不純物散乱から格子振動散乱へと連続的に変化した。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  キャリア密度 ,  圧縮応力 ,  光学ギャップ ,  相互作用 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  格子振動 ,  ガリウム ,  ドーピング ,  反応性プラズマ蒸着
準シソーラス用語： X線回折パターン ,  電子-電子相互作用 ,  電子-不純物相互作用

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• T. Minami, ”New n-type transparent conducting oxides”, MRS Bull., Vol.25, No.8, pp.38-44, Aug. 2000.
• T. Minami, H. Sato, H. Nanto, S. Tanaka, ”Group III impurity doped zinc oxide thin films prepared by RF magnetron sputtering”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.24, Part 2, No.10, pp.781-784, 1985.
• T. Yamamoto, T. Sakemi, K. Awai, S. Shirakata, ”Dependence of carrier concentrations on oxygen pressure for Ga-doped ZnO prepared by ion plating method”, Thin Solid Films, Vol.451-452, pp.439-442, Mar. 2004.
• T. Yamada, A. Miyake, S. Kishimoto, H. Makino, N. Yamamoto, T. Yamada, ”Low resistivity Ga-doped ZnO thin films of less than 100 nm thickness prepared by ion plating with direct current arc discharge”, Appl. Phys. Lett. Vol.91, No.5, art. no.051915, Aug. 2007.
• K. Seeger, Semiconductor Physics 3rd ed., p309, Springer-Verlag, Berlin, 1985.

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性プラズマ蒸着 ,  作製 ,  Ga ,  ZnO薄膜 ,  光学特性