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J-GLOBAL ID：201502237279242970   整理番号：15A0533073

Al2O3/GaSb/GaAs金属-酸化物-半導体構造に及ぼすHCl処理とプレデポジション真空焼なましの効果

Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal-oxide-semiconductor structures
著者 (8件)：
GOTOW Takahiro

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(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)

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GOTOW Takahiro

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

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FUJIKAWA Sachie

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(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)

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FUJISHIRO Hiroki I.

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(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)

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OGURA Mutsuo

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

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YASUDA Tetsuji

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

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MAEDA Tatsuro

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

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MAEDA Tatsuro

MAEDA Tatsuro について

(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)

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資料名：
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

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巻： 54  号： 2  ページ： 021201.1-021201.5  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Al2O3/GaSb/GaAs金属-酸化物-半導体(MOS)構造に及ぼすHCl処理とプレデポジション真空焼なまし(VA)の効果が研究される。筆者らはAl2O3の蒸着の前のHCl処理によって良好なFermi準位変調を有するMOS構造を得た。X線光電子分光法(XPS)解析から,筆者らはGa2O3濃度がAl2O3蒸着の間で増加し,一方,Sb成分の量が減少することを見出した。Ga2O3の過剰な成長は,HCl処理によるSb成分の量の減少によって抑制される。Sb成分の量の更なる減少はプレデポジションVAに伴い観察され,より低い状態密度(Dit)を示す。しかしながら,容量電圧(C-V)特性の周波数分散はより高い温度でプレデポジションVAとともに増加する。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOS構造

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*焼なまし

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アルミナ

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アンチモン化ガリウム

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ヒ化ガリウム

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酸化ガリウム

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塩化水素

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*容量電圧特性

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蒸着

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X線光電子分光法

X線光電子分光法 について


準シソーラス用語：
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真空焼なまし

真空焼なまし について


分類 (2件)：
分類
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金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

金属-絶縁体-半導体構造 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
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Al2O3

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GaSb

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GaAs

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酸化物

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HCl

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