特許
J-GLOBAL ID：201503002006422787
遠隔プラズマ源を使用する低温での選択的な酸化のための装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-525464
公開番号（公開出願番号）：特表2015-526903
出願日： 2013年07月25日
公開日（公表日）： 2015年09月10日
要約：
シリコンを選択的に酸化するための装置及び方法が、本明細書の中において説明される。露出されているシリコンの表面の選択的な酸化のための装置は、第1の入口接続部及び第2の入口接続部を有する複数の壁を有する熱処理チャンバを含むことができ、ここで、壁は、処理チャンバの範囲内の処理領域、処理チャンバの範囲内の基板支持体、処理チャンバの第1の入口接続部と接続している水素源、水素源と接続している熱源、処理チャンバの第2の入口接続部と接続している遠隔プラズマ源、及び酸素源を画定する。非金属の表面の選択的な酸化のための方法は、基板を摂氏800度より低い温度の処理チャンバの中に位置決めすること、水素を処理チャンバの中へ流すこと、酸素を含む遠隔プラズマを発生させること、処理チャンバの中で遠隔プラズマを水素ガスと混合して活性化された処理ガスを生成すること、及び基板を活性化されたガスに晒すことを含むことができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
露出されたシリコンの表面の選択的な酸化のための装置であって:
第1の入口接続部及び第2の入口接続部を有する、複数の壁を有する熱処理チャンバにおいて、前記複数の壁は前記処理チャンバの範囲内の処理領域を画定する、熱処理チャンバ;
前記処理チャンバの範囲内の基板支持体;
前記処理チャンバの前記第1の入口接続部と流体接続する水素源;
前記水素源と接続する熱源;
前記処理チャンバの前記第2の入口接続部と流体接続する遠隔プラズマ源;及び
前記遠隔プラズマ源と流体接続する酸素源を備える、装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/31 E
, H01L21/316 S
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AC11
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AE25
, 5F045BB07
, 5F045CA05
, 5F045DP04
, 5F045EE07
, 5F045EE12
, 5F045EH18
, 5F045EK01
, 5F045EK11
, 5F045EK17
, 5F058BA20
, 5F058BB04
, 5F058BC02
, 5F058BF55
, 5F058BF61
, 5F058BG02
, 5F058BJ04
