特許
J-GLOBAL ID:201503002236417161

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-205974
公開番号(公開出願番号):特開2015-029136
出願日: 2014年10月06日
公開日(公表日): 2015年02月12日
要約:
【課題】フォトニック結晶構造を備えた光電変換素子の光の吸収率を高める。【解決手段】光電変換素子(10)は、半導体層(13)の内部に形成されたフォトニック結晶(21)を備え、フォトニック結晶(27)は、フォトニック結晶(27)と外界との結合による共鳴効果の大きさを表すQ値としてのQVと、半導体層(13)の媒質による共鳴効果の大きさを表すQ値としてのQαとが、QV=Qαを満たす関係にある。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光電変換層と、当該光電変換層の内部に形成されたフォトニック結晶とを備えた光電変換素子であって、 上記フォトニック結晶は、上記光電変換層の内部に、当該光電変換層の媒質より屈折率が小さい柱状の媒質が配置されたものであり、 上記フォトニック結晶による共鳴ピークの波長をλとしたとき、 上記柱状の媒質は、λ/4以上、λ以下のピッチで、二次元に周期的に配置されており、 上記フォトニック結晶と外界との結合の強度を表す係数κVの逆数に比例し、上記フォトニック結晶と外界との結合による共鳴効果の大きさを表すQ値としてのQVと、上記光電変換層の媒質による光の吸収係数の逆数に比例し、上記光電変換層の媒質による共鳴効果の大きさを表すQ値としてのQαとが、QV=Qαを満たす関係にあることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01L 31/035 ,  H01L 31/075
FI (2件):
H01L31/04 342Z ,  H01L31/06 500
Fターム (11件):
5F151AA05 ,  5F151DA04 ,  5F151DA20 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献:
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