特許
J-GLOBAL ID：201503003070824240

超紫外線レチクルの検査装置および方法

発明者：
ナッセル-ゴドシ メフラン

ナッセル-ゴドシ メフラン について

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ストコフスキー スタンレイ イー

ストコフスキー スタンレイ イー について

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ヴァエズ-イラヴァーニ メフディ

ヴァエズ-イラヴァーニ メフディ について


出願人/特許権者：
ケーエルエー-テンカー コーポレイション

ケーエルエー-テンカー コーポレイション について


代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-517319
公開番号（公開出願番号）：特表2015-519617
出願日： 2013年06月07日
公開日（公表日）： 2015年07月09日
要約：
開示するのは、超紫外線(EUV)レチクルを検査するための方法および装置が開示される。パターンがEUVレチクル上で形成される前にEUVレチクルの位相欠陥マップを得るために光学検査工具を使用し、位相欠陥マップは、EUVレチクル上のそれぞれの位相欠陥の位置を特定する。パターンがEUVレチクル上に形成された後、位相欠陥マップにおいて特定するそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接するそれぞれのレチクル部分の画像を得るために荷電粒子工具を使用する。位相欠陥マップおよびそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接するそれぞれのレチクル部分の1つ以上の画像を、EUVレチクルを修正するかまたは廃棄するかどうかの分析を容易にするために、表示または保存する。
請求項（抜粋）：
超紫外線(EUV)レチクルの検査方法であって、 パターンが前記EUVレチクル上に形成される前に、前記EUVレチクル上のそれぞれの位相欠陥の位置を特定する、前記EUVレチクルの位相欠陥マップを得るために光学検査工具を使用することと、 前記EUVレチクル上に前記パターンが形成された後に、前記位相欠陥マップにおいて特定するそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接する、それぞれのレチクル部分の画像を得るために荷電粒子工具を使用することと、 前記位相欠陥マップおよびそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接するそれぞれのレチクル部分の1つ以上の画像を、前記EUVレチクルを修正するかまたは廃棄するかどうかの分析を容易にするために、表示または保存することと、 前記パターンが前記EUVレチクル上に形成された後に、前記EUVレチクル上のそれぞれのパターン欠陥の位置を特定する、前記EUVレチクルの前記パターン欠陥マップを得るために荷電粒子工具を使用することと、 前記位相欠陥マップに関連する前記パターン欠陥マップおよびそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接するそれぞれのレチクル部分の1つ以上の画像を、前記EUVレチクルを修正するかまたは廃棄するかどうかの分析をさらに容易にするために、表示または保存することと、を含む、方法。
IPC (2件)：
G03F 1/84 ,  G03F 1/24
FI (2件)：
G03F1/84 ,  G03F1/24
Fターム (6件)：
2H195BD04 ,  2H195BD05 ,  2H195BD14 ,  2H195BD24 ,  2H195CA11 ,  2H195CA22
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (3件)
  • "KLA-TENCOR が 32nmノードに対応する業界唯一の全平面レチクル検査装置TERASCAN XRを発表”
  • "KLA-Tencorの新レチクル検査装置Teron(TM)600は2Xnmノードでのマスク・デザインの不連続性に対応します"
  • "Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology XIX"
審査官引用 (6件)
  • "Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology XIX"
  • "KLA-TENCOR が 32nmノードに対応する業界唯一の全平面レチクル検査装置TERASCAN XRを発表”
  • "KLA-TENCOR が 32nmノードに対応する業界唯一の全平面レチクル検査装置TERASCAN XRを発表”
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