特許
J-GLOBAL ID：201503005037589742
半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-255648
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090188
特許番号：特許第5687328号
出願日： 2013年12月11日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理室内の基板に対してホウ素含有ガスを供給することで、前記基板上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、
前記ホウ素膜形成工程後に、前記処理室内の前記基板に対してアルミニウム含有ガスを供給することで、前記ホウ素膜の少なくとも一部にアルミニウムをドーピングしてアルミニウム含有ホウ素膜を形成し、それにより、アルミニウムがドーピングされずに残ったホウ素膜と前記アルミニウム含有ホウ素膜との積層膜、又は、単一層からなるアルミニウム含有ホウ素膜を形成するドーピング工程と、
前記ドーピング工程後に、前記処理室に連通するバッファ室内に窒素含有ガスを供給してプラズマ状態にし、プラズマ状態にされた前記窒素含有ガスを前記バッファ室から前記処理室内の前記基板に対して供給することで、前記積層膜、又は、前記単一層からなるアルミニウム含有ホウ素膜を窒化する窒化工程と、
を含む周期を繰り返すことにより、前記基板上にホウ素膜とアルミニウム含有窒化ホウ素膜とが交互に積層されてなる積層膜、又は、単一層からなるアルミニウム含有窒化ホウ素膜を複数形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/38 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/509 ( 200 6.01)
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
, C23C 16/38
, C23C 16/455
, C23C 16/509
, H01L 21/318 M
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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