特許
J-GLOBAL ID：201503005405404295

スパッタリング装置

発明者：
中島 直人

中島 直人 について

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羽田 浩二

羽田 浩二 について

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吉野 裕文

吉野 裕文 について


出願人/特許権者：
株式会社SCREENホールディングス

株式会社SCREENホールディングス について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-070994
公開番号（公開出願番号）：特開2015-193863
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：
【課題】ターゲットのダメージを抑制しつつ、スパッタレートを向上させる。【解決手段】スパッタリング装置は、内部に処理空間を形成する真空チャンバーと、処理空間にスパッターガスを供給するスパッターガス供給部と、処理空間に成膜対象の基材を対向させる機構と、処理空間に、中心軸線を中心に回転可能に設けられ、外周がターゲット材料により被覆されている円筒状の回転カソードと、回転カソードの内部に設けられ、回転カソードの外周面のうち基材に対向する部分の近傍に磁界を形成する磁界形成部と、中心軸線を中心に回転カソードを磁界形成部に対して回転させる回転駆動部と、回転カソードにスパッター電圧を印加するスパッター用電源と、処理空間のうち磁界が形成されている部分を含む空間に高密度プラズマを発生する高密度プラズマ源と、高密度プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
内部に処理空間を形成する真空チャンバーと、 前記処理空間にスパッターガスを供給するスパッターガス供給部と、 前記処理空間に成膜対象の基材を対向させる機構と、 前記処理空間に、中心軸線を中心に回転可能に設けられ、外周がターゲット材料により被覆されている円筒状の回転カソードと、 前記回転カソードの内部に設けられ、前記回転カソードの外周面のうち前記基材に対向する部分の近傍に磁界を形成する磁界形成部と、 前記中心軸線を中心に前記回転カソードを前記磁界形成部に対して回転させる回転駆動部と、 前記回転カソードにスパッター電圧を印加するスパッター用電源と、 前記処理空間のうち前記磁界が形成されている部分を含む空間に高密度プラズマを発生する高密度プラズマ源と、 前記高密度プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、 を備える、スパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35 ,  C23C 14/34 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
C23C14/35 A ,  C23C14/34 B ,  H05H1/46 A ,  H05H1/46 L
Fターム (10件)：
4K029CA06 ,  4K029DC13 ,  4K029DC16 ,  4K029DC27 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029DC48 ,  4K029JA01 ,  4K029KA02 ,  4K029KA03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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