特許
J-GLOBAL ID：201503006641937933

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
船附 里英子

船附 里英子 について

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二山 拓也

二山 拓也 について

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荒井 史隆

荒井 史隆 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： きさらぎ国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-186605
公開番号（公開出願番号）：特開2015-053098
出願日： 2013年09月09日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：
【課題】書き込み時間を短縮させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイと、制御回路とを備える。前記メモリセルアレイは、複数のしきい値を設定することで多値を記録可能な不揮発性のメモリセルが配列されて構成される。前記制御回路は、消去状態にある前記メモリセルのしきい値レベルを判定する事前ベリファイ動作と、前記事前ベリファイ動作の判定結果に基づき複数の書き込み電圧の中から1つの書き込み電圧を選択して前記メモリセルへの書き込みを行う書き込み動作と、を実行する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
複数のしきい値を設定することで多値を記録可能な不揮発性のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイに対する書き込み制御を行う制御回路と、を備え、 前記制御回路は、 消去状態にある前記メモリセルのしきい値レベルを判定する事前ベリファイ動作と、前記事前ベリファイ動作の判定結果に基づき複数の書き込み電圧の中から1つの書き込み電圧を選択して前記メモリセルへの書き込みを行う書き込み動作と、を実行することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (4件)：
G11C17/00 611E ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641
Fターム (9件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DB18 ,  5B125EA05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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