特許
J-GLOBAL ID：201503006791494143

MEMSセンサおよびセンサデバイスを形成する方法

発明者：
アンドー・フェイ

アンドー・フェイ について


出願人/特許権者：
ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング について

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アンドー・フェイ

アンドー・フェイ について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  鳥居 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-528553
公開番号（公開出願番号）：特表2015-534044
出願日： 2013年08月19日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：
センサデバイスを形成するためのシステムおよび方法は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、堆積させたシリサイド形成金属をアニールしてシリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップとを含む。
請求項（抜粋）：
シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、 前記デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、 前記シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、 前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールして前記シリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップと、 を含む、センサデバイスを形成する方法。
IPC (3件)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84 ,  B81C 1/00
FI (5件)：
G01L9/00 305B ,  H01L29/84 Z ,  H01L29/84 B ,  H01L29/84 A ,  B81C1/00
Fターム (41件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF11 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  3C081AA01 ,  3C081AA17 ,  3C081BA03 ,  3C081BA30 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081CA13 ,  3C081CA20 ,  3C081CA29 ,  3C081CA40 ,  3C081DA04 ,  3C081DA22 ,  3C081DA25 ,  3C081EA03 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA08 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA05 ,  4M112DA07 ,  4M112DA14 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA12 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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