特許
J-GLOBAL ID：201503007076900210

半導体メモリ

発明者：
高橋 弘行

高橋 弘行 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-149324
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023116
出願日： 2013年07月18日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
要約：
【課題】センスアンプの面積を縮小化する。【解決手段】本実施形態にかかる半導体メモリは、複数のメモリセル11を有するメモリセルアレイ10と、メモリセルアレイ10の各列に対応して設けられた複数のビット線対と、複数のビット線対に対応して複数設けられ、ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ12と、を備え、センスアンプが、拡散層41を有し、ビット線対をプリチャージするプリチャージ用トランジスタPCT,PCN、EQと、プリチャージ用トランジスタPCT,PCN、EQの拡散層41aと一体に形成された拡散層41aを有し、複数のビット線対を選択的に共通バス線に接続するスイッチ用トランジスタYT、YNと、を備えている。【選択図】図23
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイの各列に対応して設けられた複数のビット線対と、 前記複数のビット線対に対応して複数設けられ、前記ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプと、を備え、 前記センスアンプが、 拡散層を有し、前記ビット線対をプリチャージするプリチャージ用トランジスタと、 前記プリチャージ用トランジスタの前記拡散層と一体に形成された拡散層を有し、複数の前記ビット線対を選択的に共通バス線に接続するスイッチ用トランジスタと、を備えた半導体メモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  G11C 11/401 ,  G11C 11/409 ,  H01L 27/11
FI (5件)：
H01L27/10 681G ,  G11C11/34 371K ,  G11C11/34 362B ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 681F
Fターム (24件)：
5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083GA09 ,  5F083LA01 ,  5F083LA03 ,  5F083LA09 ,  5F083LA10 ,  5F083LA13 ,  5F083LA14 ,  5M024AA52 ,  5M024AA62 ,  5M024BB13 ,  5M024BB14 ,  5M024BB15 ,  5M024BB17 ,  5M024CC63 ,  5M024CC65 ,  5M024CC74 ,  5M024LL05 ,  5M024LL06 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119639   出願人：株式会社東芝
  • 露光用マスクと露光方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118612   出願人：株式会社東芝
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-308695   出願人：松下電器産業株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119639   出願人：株式会社東芝
  • 露光用マスクと露光方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118612   出願人：株式会社東芝
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-308695   出願人：松下電器産業株式会社
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