特許
J-GLOBAL ID：201503007534689185
磁気抵抗素子および磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-068868
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204683
特許番号：特許第5761788号
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】垂直磁気異方性を有し、MnxGa100-x(45≦x<64atm%)を含む第1の磁性層と、
垂直磁気異方性を有し、MnyGa100-y(45≦y<64atm%)を含む第2の磁性層と、
前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第1の非磁性層と、
を備え、前記第1の磁性層は、前記第2の磁性層よりもMnの組成比が小さく、前記第1の磁性層の磁化方向は可変で、かつ前記第2の磁性層の磁化方向は不変である磁気抵抗素子。
IPC (6件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 43/10 ( 200 6.01)
, H01F 10/32 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 M
, H01F 10/32
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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