SiCエピタキシャルウェハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 鈴木三義 , 荒則彦 , 三國修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-183373
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050436
出願日： 2013年09月04日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：

【課題】高い生産効率で、高品質なSiCエピタキシャルウェハを製造することができるSiCエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において2.0×10-3Pa以下の真空度で真空ベークする工程と、前記コーティングされた炭素系材料部材を、エピタキシャルウェハ製造装置に設置する工程と、前記エピタキシャルウェハ製造装置内にSiC基板を配置し、そのSiC基板上にSiCエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる工程と、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において2.0×10-3Pa以下の真空度で真空ベークする工程と、前記コーティングされた炭素系材料部材を、エピタキシャルウェハ製造装置に設置する工程と、前記エピタキシャルウェハ製造装置内にSiC基板を配置し、そのSiC基板上にSiCエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる工程と、を有するSiCエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C23C 16/44 , C30B 25/20 , C30B 29/36

FI (5件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/44 J , C30B25/20 , C30B29/36 A

Fターム (49件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077DB07 , 4G077ED06 , 4G077EG04 , 4G077EG25 , 4G077EG28 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA11 , 4G077TA12 , 4G077TB02 , 4G077TC01 , 4G077TD03 , 4G077TF03 , 4G077TK01 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030KA47 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB10 , 5F045BB14 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045EK02 , 5F045EK03 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (7件)

炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274349 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社日立製作所, 三洋電機株式会社
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-066703 出願人：キヤノン株式会社
基板処理装置及びベーキング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-289736 出願人：株式会社日立国際電気

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審査官引用 (7件)

炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274349 出願人：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社日立製作所, 三洋電機株式会社
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-066703 出願人：キヤノン株式会社
基板処理装置及びベーキング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-289736 出願人：株式会社日立国際電気

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