特許
J-GLOBAL ID：201503013829096631
LED素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-058659
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183295
特許番号：特許第5818031号
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電体又は半導体で構成された支持基板と、
前記支持基板の上層に形成された導電層と、
前記導電層の上層に形成された反射電極と、
前記反射電極の上層に形成されたp型窒化物半導体層で構成される第1半導体層と、
前記第1半導体層の上層に形成された、窒化物半導体層で構成される発光層と、
前記発光層の上層に形成された、n型窒化物半導体層で構成される第2半導体層と、
少なくとも前記反射電極の外側面を覆うように形成され、防水機能を有し、厚みの異なる領域を有する絶縁層と、
前記第2半導体層の一部上面に底面を接触して形成された電極とを有し、
前記絶縁層は、厚みの厚い第1領域が前記支持基板の基板面に平行な方向に関して前記第1半導体層よりも外側に位置し、且つ、前記第1半導体層の端部領域において前記支持基板の基板面に垂直な方向に関して前記電極と対向するように形成され、
前記反射電極は、前記電極に対して前記支持基板の基板面に垂直な方向に対向する位置において、当該反射電極の一部が前記絶縁層のうちの前記第1領域よりも厚みの薄い第2領域の下層に位置し、且つ、前記支持基板の基板面に平行な方向に関して異なる位置において、前記絶縁膜の前記第1領域が構成する側面と、前記絶縁膜の前記第2領域が構成する側面とに接触するように形成されていることを特徴とするLED素子。
IPC (4件)：
H01L 33/44 ( 201 0.01)
, H01L 33/38 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 33/10 ( 201 0.01)
H01L 33/00 300
, H01L 33/00 210
, H01L 33/00 186
, H01L 33/00 130
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
