特許
J-GLOBAL ID：201503014968570131
結晶シリコン太陽電池およびその製法、ならびに太陽電池モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-074690
公開番号（公開出願番号）：特開2015-198142
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月09日
要約：
【課題】リーク電流を低減し、変換効率を向上できる結晶シリコン太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板1と、前記基板の第一主面上に逆導電型シリコン系層3aと第一透明電極層4aをこの順に有し、第二主面側に第二主面側電極層8を有する結晶シリコン太陽電池の製造方法に関し、逆導電型シリコン系層の第一主面上に第一透明電極層を形成する第一透明電極層形成工程と、第一透明電極層を有する結晶シリコン太陽電池仕掛品を複数に分割する割断工程と、を順に有する。割断工程前に、基板の第一主面側表面に第一透明電極層を有さない第一透明電極層開口領域が形成される開口領域形成工程を有する。割断工程は、第一主面側から基板の少なくとも一部が露出するように第一透明電極層開口領域にレーザー光を照射するレーザー照射工程を有することが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一導電型単結晶シリコン基板と、前記基板の第一主面上に逆導電型シリコン系層と第一透明電極層をこの順に有し、前記基板の第二主面側に第二主面側電極層を有する結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、
前記逆導電型シリコン系層の第一主面上に前記第一透明電極層を形成する第一透明電極層形成工程と、前記第一透明電極層を有する結晶シリコン太陽電池仕掛品を複数に分割する割断工程と、をこの順に有し、
さらに前記割断工程前に、前記基板の第一主面側表面に前記第一透明電極層を有さない第一透明電極層開口領域が形成される開口領域形成工程を有し、
前記割断工程は、前記第一主面側から前記基板の少なくとも一部が露出するように前記第一透明電極層開口領域にレーザー光を照射するレーザー照射工程を有する、結晶シリコン太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 460
, H01L31/06 455
5F151AA05
, 5F151BA11
, 5F151CA02
, 5F151CA03
, 5F151CA04
, 5F151CA15
, 5F151CB13
, 5F151CB14
, 5F151CB15
, 5F151CB28
, 5F151DA03
, 5F151DA04
, 5F151DA07
, 5F151EA05
, 5F151EA09
, 5F151EA10
, 5F151EA11
, 5F151EA14
, 5F151EA15
, 5F151EA16
, 5F151EA18
, 5F151EA19
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151FA16
, 5F151GA04
, 5F151HA07
