特許
J-GLOBAL ID：201103073034827690
太陽電池素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-190803
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146678
出願日： 2010年08月27日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】 太陽電池素子の分割工程における歩留まりの悪化を低減することのできる太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1の一主面上に反射防止膜3を形成する工程と、反射防止膜3が形成された半導体基板1の一主面にレーザを照射して溝8を形成する工程と、溝8に沿って半導体基板1を分割する工程と、を備えている。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜が形成された前記半導体基板の一主面にレーザを照射して溝を形成する工程と、
前記溝に沿って前記半導体基板を分割する工程と
を備える太陽電池素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151BA14
, 5F151CB28
