特許
J-GLOBAL ID：201303080033344688

ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜

発明者：
前川 和也

前川 和也 について

, 
上田 国博

上田 国博 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042073
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219332
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】ヘテロPN接合の様に、結晶成長技術により、異種半導体を原子層レベルの急激な組成変化を示す界面で接合し、その半導体層の結晶性を良好なまま積層する手段を提案する。【解決手段】 単結晶基板2上に形成されたPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜であって、前記PN接合酸化物薄膜におけるN型半導体酸化物薄膜6及びP型半導体酸化物薄膜7が(00k)で表されるC軸配向にエピタキシャル成長した、ヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜1による。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に形成されたPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜であって、前記PN接合酸化物薄膜におけるN型半導体酸化物薄膜及びP型半導体酸化物薄膜が(00k)で表されるC軸配向にエピタキシャル成長していることを特徴とするヘテロエピタキシャルPN接合酸化物薄膜を有する積層薄膜。
IPC (3件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
H01L21/363 ,  C23C14/08 N ,  C23C14/08 K ,  H01L21/20
Fターム (61件)：
4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK04 ,  5F103KK05 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103LL12 ,  5F103LL14 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103NN06 ,  5F103NN10 ,  5F103PP13 ,  5F103PP15 ,  5F103PP18 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F152CC04 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL08 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152MM02 ,  5F152MM07 ,  5F152MM08 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM11 ,  5F152MM12 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN27 ,  5F152NP12 ,  5F152NQ01
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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