特許
J-GLOBAL ID：201503015295852195
滞留時間が非常に短いレーザアニールシステムおよび方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
北原 宏修
, 多田 裕司
, 山内 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-068412
公開番号（公開出願番号）：特開2015-164194
出願日： 2015年03月30日
公開日（公表日）： 2015年09月10日
要約：
【課題】非常に短い滞留時間で半導体ウエハをアニールするためのレーザアニールシステムと方法を提供する。【解決手段】アニールレーザビームは、滞留時間を約1μsから約100μsまでの範囲に収められる速度で走査する。これらの非常に短い滞留時間は、薄いデバイスウエハから形成されるプロダクトウエハのアニールに際して、デバイスウエハのデバイス側がアニール処理中に熱せられることによる傷を付き難くする。【選択図】図10A
請求項（抜粋）：
アニール表面を有する半導体ウエハをアニールするための、高速レーザアニールシステムであって、
約300nmから約650nmの範囲内のアニール波長を有するレーザビームを発生させるレーザと、
前記レーザビームを受けて、1μsと100μSの間の滞留時間を有する、走査された画像として、アニール表面を前記レーザビームで走査し、それによって前記アニール表面を350°Cから1250°Cのピークアニール温度TAPに到達させる走査光学システムとを備える、高速レーザアニールシステム。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, H01L 21/027
, H01L 21/265
H01L21/268 T
, H01L21/268 G
, H01L21/30 568
, H01L21/265 602C
