特許
J-GLOBAL ID：201003081238886348
半導体不純物の活性化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-121250
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272587
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
【課題】不純物が導入された半導体を効果的かつ良好に活性化する方法を提供する。【解決手段】第1の不純物が半導体基板の表層からある深さに存在し、さらに深い領域に第2の不純物が存在する連続した不純物層へ、複数のパルスレーザを時間差にて一連の連続パルスとして同じ位置へ照射するとともに、一連の連続パルス毎に半導体基板の所定の範囲を相対的に走査しながら前記照射を行い、前記不純物層を前記の一連の連続パルス照射時に非溶融状態にて活性化する。加熱時間が長いため、深い領域まで熱が十分に拡散することができ、深い領域の活性化が容易となる。また、活性化する不純物層が固相状態を維持しているため、拡散が発生しにくく、異なる不純物層が連続して存在する半導体基板や、同じ不純物であっても、注入条件が異なる層が連続する半導体基板などの活性化に有効である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1の不純物が半導体基板の表層からある深さに存在し、さらに深い領域に第2の不純物が存在する連続した不純物層へ、複数のパルスレーザを時間差にて一連の連続パルスとして同じ位置へ照射するとともに、一連の連続パルス毎に半導体基板の所定の範囲を相対的に走査しながら前記照射を行い、前記不純物層を前記の一連の連続パルス照射時に非溶融状態にて活性化することを特徴とする半導体不純物の活性化方法。
IPC (5件)：
H01L 21/265
, H01L 21/268
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L21/265 602C
, H01L21/265 F
, H01L21/268 T
, H01L29/78 655Z
, H01L29/78 658A
