特許
J-GLOBAL ID：201503016544927792

Si基板の平坦化加工方法及びその装置

発明者：
山内 和人

山内 和人 について

, 
礒橋 藍

礒橋 藍 について

, 
佐野 泰久

佐野 泰久 について

, 
鈴木 辰俊

鈴木 辰俊 について

, 
鈴木 大介

鈴木 大介 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について

, 
東邦エンジニアリング株式会社

東邦エンジニアリング株式会社 について


代理人 (4件)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由 ,  中川 正人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-037307
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162600
出願日： 2014年02月27日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：
【課題】 レアアースを始め、研磨剤や砥粒を一切使用せず、またフッ化水素等の取り扱いが難しく、環境負荷の大きな溶液を一切使用せず、クリーンルームとの相性が良く、Si基板をCMPに匹敵する加工速度で、しかもCMP仕上げ面よりも高品位の表面が得られるSi基板の平坦化加工方法及びその装置を提供する。【解決手段】 Siの酸化とSi酸化膜の加水分解の双方を促進する触媒物質を加工基準面として用い、水の存在下でSi基板と加工基準面とを所定圧力で接触させるとともに、Si基板と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によってSi表面の酸化と酸化膜の凸部からの優先的な加水分解による分解生成物の除去を進行させ、Si基板の表面を砥粒や研磨剤を用いずに、加工速度が10nm/h〜10μm/hで、表面粗さがRMS0.2nm以下の精度に平坦化加工する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Si基板の表面を砥粒や研磨剤を用いずに、加工速度が10nm/h〜10μm/hで、表面粗さがRMS0.2nm以下の精度に平坦化加工する加工方法であって、 Siの酸化とSi酸化膜の加水分解の双方を促進する触媒物質を加工基準面として用い、水の存在下で、前記Si基板と加工基準面とを所定圧力で接触させるとともに、該Si基板と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によってSi表面の酸化と該酸化膜の凸部からの優先的な加水分解による分解生成物の除去を進行させることを特徴とするSi基板の平坦化加工方法。
IPC (6件)：
H01L 21/306 ,  B01J 23/42 ,  B01J 23/26 ,  B01J 23/755 ,  B01J 23/72 ,  H01L 21/308
FI (7件)：
H01L21/306 M ,  H01L21/306 B ,  B01J23/42 M ,  B01J23/26 M ,  B01J23/74 321M ,  B01J23/72 M ,  H01L21/308 B
Fターム (25件)：
4G169AA03 ,  4G169BA02B ,  4G169BA14B ,  4G169BA18 ,  4G169BC31B ,  4G169BC58A ,  4G169BC58B ,  4G169BC59A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC68B ,  4G169BC70A ,  4G169BC72A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169DA06 ,  4G169DA10 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD10 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM