特許

J-GLOBAL ID：200903011895001675

触媒支援型化学加工方法及び装置

発明者： 山内 和人 ,  佐野 泰久 ,  原 英之 ,  村田 順二 ,  八木 圭太
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (4件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-328287
公開番号（公開出願番号）：特開2008-121099
出願日： 2006年12月05日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】近年電子デバイスの材料として重要性が高まっている銅やGaN等を、加工効率が高く且つ数十μm以上の空間波長領域にわたって精度高く加工する。【解決手段】酸化性処理液32中に被加工物38を配し、酸性または塩基性を有する固体触媒44を被加工物38の被加工面に接触または極接近させて配して、固体触媒44と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液32中に溶出させて該加工面を加工する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

酸化性処理液中に被加工物を配し、 酸性または塩基性を有する固体触媒を被加工物の被加工面に接触または極接近させて配して、 前記固体触媒と接触または極接近している被加工面の表面原子を酸化性処理液中に溶出させて該被加工面を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。

IPC (3件)：

C23F 1/00 ,  H01L 21/306 ,  C25F 3/02

FI (3件)：

C23F1/00 Z ,  H01L21/306 M ,  C25F3/02 Z

Fターム (22件)：

4K057WA03 ,  4K057WA04 ,  4K057WB01 ,  4K057WB02 ,  4K057WB03 ,  4K057WB04 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WD01 ,  4K057WD10 ,  4K057WE25 ,  4K057WG02 ,  4K057WM03 ,  4K057WM20 ,  4K057WN01 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07

引用特許：

出願人引用 (8件)

• 特公平2-25745号公報
  
• 特公平7-16870号公報
  
• 特公平6-44989号公報
  
• 高速剪断流による加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-347596   出願人：科学技術振興事業団
• 特許第2962583号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 特許第3734722号公報
  
• 触媒支援型化学加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-299263   出願人：山内和人, 佐野泰久

審査官引用 (4件)

• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-041950   出願人：国立大学法人熊本大学
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-205241   出願人：株式会社日立製作所
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-139857   出願人：森勇蔵, 株式会社荏原製作所
• 基板処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-148326   出願人：株式会社荏原製作所