特許
J-GLOBAL ID：201503019931552151
窒化ガリウムおよび金属酸化物の複合基板
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
山本 秀策
, 森下 夏樹
, 飯田 貴敏
, 石川 大輔
, 山本 健策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-528454
公開番号（公開出願番号）：特表2015-527292
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：
本発明は、基板表面の品質と関連付けられた問題を解決する、新規複合基板を開示する。複合基板は、GaxAlyIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)から成る第1の層と、金属酸化物から成る第2の層とを備える、少なくとも2つの層を有し、第2の層は、高温で原位置エッチングを用いて除去されることができ、金属酸化物の一部または複数の部分は、貫通転位の終端点または積層欠陥の終端線に位置付けられ、局所マスクを提供し、貫通転位または積層欠陥の伝搬を防止する。金属酸化物層は、素子の加工まで、第1の層の保護層として作用するように設計される。金属酸化物層は、アンモニア等の反応性ガスによる気相エッチングを通して、素子の加工反応器内で除去され得るように設計される。
請求項（抜粋）：
素子加工のための複合基板であって、前記複合基板は、GaxAlyIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)から成る第1の層と、前記第1の層の表面に取着された第2の層とを備え、前記第2の層は、金属酸化物から成り、前記金属酸化物は、前記第1の層を部分的または完全に被覆し、素子加工反応器内で原位置エッチングによって除去されることができる、複合基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EE09
, 4G077EF02
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TC14
, 4G077TC17
, 4G077TC19
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK08
