化合物半導体の成長方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：浜野孝雄 , 森田哲二 , 平井輝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350382
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165069
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】ゲートリークの少ない高移動度高品質GaN系ヘテロ接合FETの実現を可能とする成長方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明では、ニ次元電子が高速で走行することが可能であるようにノンドープGaN層についてはMOCVD法を用いて転位密度の低い高品質膜を作成し、さらにこのノンドープGaN層上に成長させるn型AlxGa1-xN層についてはゲートリークを抑えるために表面平坦性に優れたn型AlxGa1-xN層が得られるようにMBE法で成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ノンドープGaN単結晶層上にn型AlxGa1-xN層(x=0.1〜1.0)をエピタキシャル成長させ、n型AlxGa1-xN層/ノンドープGaN界面のGaN側に形成された二次元電子を界面に沿って高速で走行させるヘテロ接合化合物半導体の成長方法において、基板上にノンドープGaN層をエピタキシャル成長にさせるのにMOCVD法を用い、ノンドープGaN層上にn型AlxGa1-xN層をエピタキシャル成長させるのにMBE法を用いることを特徴とする化合物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (22件)：

5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045HA22 , 5F045HA24 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (8件)

窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-203676 出願人：日立電線株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-136901 出願人：シャープ株式会社
半導体基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-094256 出願人：日本碍子株式会社, コミサリア・ア・レネルジー・アトミーク

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引用文献：

審査官引用 (1件)

RF-MBE法によるGaNテンプレート上への高Al組成・低抵抗AlGaN/GaNヘテロ構造の成長 Al

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