半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：平川明 , 高田大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-124095
公開番号（公開出願番号）：特開2014-241386
出願日： 2013年06月12日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：

【課題】薬液処理によるゲート絶縁膜の劣化を抑止する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板に、前記基板の表面よりも上方に突出する突出部を有する素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記基板上及び前記素子分離絶縁膜上に第1膜を形成する工程と、前記第1膜を研磨して前記突出部を露出させる工程と、前記第1膜を研磨する工程の後、前記第1膜上と前記突出部上とに跨る第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記第1膜をパターニングし、第1パターンを形成する工程と、前記第1パターンの側面にサイドウォール膜を形成する工程と、を有する。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

基板に、前記基板の表面よりも上方に突出する突出部を有する素子分離絶縁膜を形成する工程と、

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 27/08 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/41 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/76

FI (7件)：

H01L29/78 301R , H01L27/08 331A , H01L29/58 G , H01L29/44 L , H01L27/08 321C , H01L21/76 L , H01L29/78 301G

Fターム (93件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104DD75 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032BA01 , 5F032BA03 , 5F032BA05 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BF19 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140BB05 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-324749 出願人：松下電器産業株式会社
局所的に薄くしたフィンを有するフィン型FET及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-059941 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-185452 出願人：株式会社東芝

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