特許

J-GLOBAL ID：201503041708379701

レーザを用いたドーピング方法

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発明者： 玉木 隆幸 ,  小野 俊介 ,  中村 圭吾
出願人/特許権者： 独立行政法人国立高等専門学校機構
代理人 (2件)： 古谷 栄男 ,  松下 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-136541
公開番号（公開出願番号）：特開2015-010017
出願日： 2013年06月28日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】レーザー光を用いてガラスなどの基体内にドープ材料をドープする方法を提供する。【解決手段】ガラスなどの基体2を準備する。続いて、この基体2の表面4上に、ドーピングしたいドープ材料6を置く。次に、この状態にて、炭酸ガスレーザーを、基板2の表面4とドープ材料6の境界面近傍に照射する。この時、炭酸ガスレーザ光8を走査して、ドーピングを行いたい範囲に炭酸ガスレーザー光8を照射する。炭酸ガスレーザーの照射によって基体2が溶融し、ドープ材料6が混入する。照射後には、基体2が冷却され、混入されたドープ材料6を含んだまま基体2が凝固し、ドーピングが行われる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上にドープ材料を載置するステップと、 ドープ材料を載置した基体に対し、レーザーを照射し、基体内にドープ材料をドーピングするステップと、 を備えたドーピング方法。

IPC (5件)：

C03C 21/00 ,  C03C 23/00 ,  B23K 26/352 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/082

FI (5件)：

C03C21/00 Z ,  C03C23/00 D ,  B23K26/00 E ,  B23K26/00 G ,  B23K26/08 B

Fターム (23件)：

4E068AH01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA04 ,  4E068CA15 ,  4E068CE02 ,  4E068DB01 ,  4E068DB02 ,  4E068DB06 ,  4E068DB13 ,  4G059AA01 ,  4G059AA08 ,  4G059AB01 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC05 ,  4G059AC06 ,  4G059AC07 ,  4G059AC08 ,  4G059AC15 ,  4G059DA00 ,  4G059DA04 ,  4G059DA05 ,  4G059DB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドーピング方法、光学デバイスの製造方法、および、ナノ粒子生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-079783   出願人：国立大学法人大阪大学, 独立行政法人国立高等専門学校機構
• レーザ加工方法およびレーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-206666   出願人：シャープ株式会社
• レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-321619   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• シリカガラスルツボ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-294593   出願人：ジャパンスーパークォーツ株式会社