特許
J-GLOBAL ID:201503043954832108

半導体発光素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-258350
公開番号(公開出願番号):特開2015-115543
出願日: 2013年12月13日
公開日(公表日): 2015年06月22日
要約:
【課題】高電流を供給した場合であっても、電流供給部近傍の領域に電流が集中することが防止された半導体発光素子を実現する。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、基板上に、p型半導体層、発光層及びn型半導体層を含む半導体層を有してなり、半導体層の一部上面に接触して形成され、電流供給線と連結される電流供給部を含む第一電極と、電流供給部の非形成領域の鉛直下方の一部領域に形成され、半導体層の一部底面に接触し、発光層からの射出光を反射させる材料で形成された第二電極と、電流供給部の鉛直下方を含む領域に形成され、半導体層の一部底面に接触する第一電流遮断層とを有し、第一電流遮断層と半導体層との接触箇所における接触抵抗が、第二電極と半導体層との接触箇所における接触抵抗よりも高い。【選択図】 図1A
請求項(抜粋):
基板上に、p型半導体層、発光層及びn型半導体層を含む半導体層を有してなる半導体発光素子であって、 前記半導体層の一部上面に接触して形成され、電流供給線と連結される電流供給部を含む第一電極と、 前記電流供給部の非形成領域の鉛直下方の一部領域に形成され、前記半導体層の一部底面に接触し、前記発光層からの射出光を反射させる材料で形成された第二電極と、 前記電流供給部の鉛直下方を含む領域に形成され、前記半導体層の一部底面に接触する第一電流遮断層とを有し、 前記第一電流遮断層と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗が、前記第二電極と前記半導体層との接触箇所における接触抵抗よりも高いことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/14 ,  H01L 33/36
FI (2件):
H01L33/00 150 ,  H01L33/00 200
Fターム (24件):
5F141AA21 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA73 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36 ,  5F241AA21 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA73 ,  5F241CA74 ,  5F241CA77 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CA93 ,  5F241CB15 ,  5F241CB36
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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