特許
J-GLOBAL ID：201503071199463958

異種基板を有するIII族窒化物デバイスに適するバッファ層構造

発明者：
ケラー,スタシア

ケラー,スタシア について

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スウェンソン,ブライアン エル.

スウェンソン,ブライアン エル. について

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フィヒテンバウム,ニコラス

フィヒテンバウム,ニコラス について


出願人/特許権者：
トランスフォーム インコーポレーテッド

トランスフォーム インコーポレーテッド について


代理人 (5件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  松丸 秀和 ,  今村 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-555787
公開番号（公開出願番号）：特表2015-512148
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：
本発明の実施形態は、異種基板を有するIII-Nデバイスに適合するバッファ構造を含む。バッファ構造は、第1のアルミニウム組成を有する第1のバッファ層と、第1のバッファ層上に形成され、第2のアルミニウム組成を有する第2のバッファ層とを備える。バッファ構造は、更に、第2の界面において第2のバッファ層上に形成され、第3のアルミニウム組成を有する第3のバッファ層を備える。第1のアルミニウム組成は、第1のバッファ層内で界面に向かって減少し、第2のアルミニウム組成は、第2のバッファ層に亘って、界面における第1のアルミニウム組成より高い。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-N層構造体を形成する方法において、 第1の材料層上に、第1のアルミニウム組成を有し、前記第1の材料層に隣接する第1の側と、前記第1の側の反対側の第2の側とを有する第1のIII-Nバッファ層を形成するステップと、 前記第1のIII-Nバッファ層の第2の側に、第2のアルミニウム組成を有し、15nmより厚い第2のIII-Nバッファ層を形成するステップとを有し、 前記第1のアルミニウム組成は、前記第1のIII-Nバッファ層に亘って実質的に一定であり、又は前記第1の側から前記第2の側に向かって減少し、 前記第2のIII-Nバッファ層に亘る前記第2のアルミニウム組成は、前記第1のIII-Nバッファ層の第2の側における前記第1のアルミニウム組成より高い方法。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/12 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L21/20 ,  H01L29/80 H ,  H01L33/00 140 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205
Fターム (43件)：
5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB05 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA57 ,  5F045DA58 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F141AA40 ,  5F141CA40 ,  5F152LN03 ,  5F152LN13 ,  5F152LN19 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152MM05 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN13 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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