特許
J-GLOBAL ID：201503071326493985

太陽電池及びその製作方法

発明者：
シュメイト セス ダニエル

シュメイト セス ダニエル について

, 
ハッチングス ダグラス アーサー

ハッチングス ダグラス アーサー について

, 
モハンメド ハフェズディン

モハンメド ハフェズディン について


出願人/特許権者：
シリコン ソーラー ソリューションズ リミテッド ライアビリティ カンパニー

シリコン ソーラー ソリューションズ リミテッド ライアビリティ カンパニー について


代理人 (8件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  岩崎 吉信
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-555833
公開番号（公開出願番号）：特表2015-510266
出願日： 2013年02月05日
公開日（公表日）： 2015年04月02日
要約：
太陽電池は、基板上に形成された領域を含む。本領域はドーパントを有する。領域は、太陽電池の選択エミッタ及び背面電界のうちの1つとすることができる。グリッドラインは、領域の第1の部分の上に堆積される。領域の第1の部分上の表面部分における電気的に活性なドーパントの濃度が表面部分から離れた距離における電気的に活性なドーパントの濃度よりも低いようなドーパントプロファイルが生成される。1つの実施形態において、ドーパントの一部分の電気的活性は、グリッドラインの外側にある領域の第2の部分において不活性化される。グリッドラインは、ドーパントを不活性化するためのマスクとして使用される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
太陽電池を製造する方法であって、 前記太陽電池の領域の第2の部分上に堆積されたグリッドラインをマスクとして用いて、化学種に露出することによって前記太陽電池の領域の第1の部分におけるドーパントの電気的活性を不活性化する段階を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 31/18 ,  H01L 31/068 ,  H01L 31/042
FI (3件)：
H01L31/04 440 ,  H01L31/06 300 ,  H01L31/04 500
Fターム (4件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB18 ,  5F151DA03
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM