特許
J-GLOBAL ID：200903065834900823

複数のアニール作業とともに光電池を金属化するための方法

発明者：
ピエール・ジャン・リベイロン

ピエール・ジャン・リベイロン について

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セバスティアン・デュボワ

セバスティアン・デュボワ について

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ニコラス・アンジャルベール

ニコラス・アンジャルベール について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-244235
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078661
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板(102)、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層(104)、基板の正面上に製造されて、光電池の正面(108)を形成する反射防止層(106)、を備える少なくとも一つの光電池(100)を金属化する方法を提供する。【解決手段】a)光電池(100)の正面(108)上に少なくとも一つの金属化層(110)を形成すること、b)約800°C及び900°Cの間の温度で光電池(100)に第1のアニールをすること、c)基板(102)の裏面上に少なくとも一つの金属化層(112)を形成すること、d)約700°C及び800°Cの間の温度で光電池(100)に第2のアニールをすること、のステップを少なくとも含む。【選択図】図2E
請求項（抜粋）：
第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板(102)、第二種の導電性で不純物をドープされて前記基板中に製造され、前記基板の正面を形成している層(104)、前記基板の正面上に製造されて、光電池の正面(108)を形成する反射防止層(106)、を備える少なくとも一つの光電池(100)を金属化するための方法であって、 前記方法は、 a)前記光電池(100)の正面(108)上に少なくとも一つの金属化層(110)を形成すること、 b)約800°C及び900°Cの間の温度で前記光電池(100)に第1のアニールをすること、 c)前記基板(102)の裏面上に少なくとも一つの金属化層(112)を形成すること、 d)約700°C及び800°Cの間の温度で前記光電池(100)に第2のアニールをすること、 のステップを少なくとも含む、方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 F
Fターム (16件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA04 ,  5F051HA20
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (4件)
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