特許
J-GLOBAL ID：200903027413765200

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
藤原 剛

藤原 剛 について

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牛山 雅弘

牛山 雅弘 について

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一瀬 勝彦

一瀬 勝彦 について

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大橋 直史

大橋 直史 について

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斉藤 哲夫

斉藤 哲夫 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について

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株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ

株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-058542
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228589
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】 絶縁膜上の半導体薄膜に形成される絶縁ゲート型電界効果トランジスタの信頼性、製造歩留まりを向上させる。【解決手段】 第1絶縁ゲート型トランジスタのゲート電位とドレイン電位により制御される融合化された第2絶縁ゲート型トランジスタを多層構造半導体基板内部に形成する。第2絶縁ゲート型トランジスタのソースは、第1絶縁ゲート型トランジスタの基板端子と埋め込みゲート絶縁膜を介して接続された構成とし、前記ソースにはイオン注入による不純物の導入を行わない。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
自己整合加工用の第1窒化珪素膜を形成し、さらにパッシベーション用の第2窒化珪素膜を形成する半導体装置の製造方法であって、 前記第1窒化珪素膜は、シランおよび窒素を原料ガスとするプラズマCVD法により形成され、前記第2窒化珪素膜は、シラン、アンモニアおよび窒素を原料ガスとするプラズマCVD法により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L21/318 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108
FI (5件)：
H01L21/318 M ,  H01L21/90 C ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/06 102A
Fターム (115件)：
5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM10 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX34 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD62 ,  5F083GA27 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA34 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F083ZA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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