半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-003758
公開番号（公開出願番号）：特開2015-111704
出願日： 2015年01月12日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
要約：

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い2つの膜(ITO膜とアルミニウム膜)からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。【解決手段】本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる2層構造とする。TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ITOとを接合させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層を有する薄膜トランジスタと、前記半導体層上の第1導電層と、前記第1導電層上の第2導電層と、前記第2導電層上の平坦化絶縁膜と、前記平坦化絶縁膜上の透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、前記平坦化絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第1導電膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (18件)：

H01L 29/786 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/20 , H01L 29/417 , H01L 21/329 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/321 , G09F 9/30 , H01L 51/50 , H05B 33/28 , H05B 33/22 , G02F 1/136 , H01L 27/08

FI (15件)：

H01L29/78 616U , H01L21/90 D , H01L29/78 619A , H01L29/78 612Z , H01L27/08 102D , H01L21/20 , H01L29/50 M , H01L29/48 P , H01L21/88 C , G09F9/30 336 , H05B33/14 A , H05B33/28 , H05B33/22 Z , G02F1/1368 , H01L27/08 331E

Fターム (207件)：

2H192AA24 , 2H192BC31 , 2H192CB02 , 2H192CC32 , 2H192CC72 , 2H192EA67 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB08 , 3K107CC11 , 3K107CC14 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107DD22 , 3K107DD27 , 3K107DD39 , 3K107DD90 , 3K107EE03 , 4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD91 , 4M104EE09 , 4M104FF09 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG05 , 4M104GG09 , 4M104HH04 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5C094AA21 , 5C094AA22 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094HA08 , 5F033GG01 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH20 , 5F033HH33 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ18 , 5F033JJ20 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM17 , 5F033NN12 , 5F033NN15 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ83 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033SS08 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV15 , 5F033XX07 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX18 , 5F033XX20 , 5F033XX30 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BE08 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F110AA03 , 5F110AA09 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CE03 , 5F152CE06 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152FF07 , 5F152FG01 , 5F152FG18 , 5F152FH03

引用特許：

審査官引用 (12件)

薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-277161 出願人：三星電子株式会社
薄膜トランジスタパネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-348623 出願人：カシオ計算機株式会社
薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-010250 出願人：三星電子株式会社

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