特許
J-GLOBAL ID：200903083884292792

電気光学装置及び電子機器

発明者：
清水 雄一

清水 雄一 について

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山▲崎▼ 康二

山▲崎▼ 康二 について

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壹岐 拓則

壹岐 拓則 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321788
公開番号（公開出願番号）：特開2004-170916
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】 電気光学装置において、画素電極及びデータ線間に生じる容量カップリングの影響を極力排除するとともに、TFTの長期寿命化を図り、更には、積層構造を構成する各要素間の電気的接続を良好に実現することによって、より高品質な画像を表示する。【解決手段】 基板上に、データ線(6a)、走査線(3a)、画素電極(9a)及びTFT(30)が積層構造の一部をなして備えられている。この基板上には更に、TFT及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量(70)と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層(400)と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜(43)とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。このうちシールド層は窒化膜を含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に、第1方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第2方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、 前記基板上には更に、 前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、 前記データ線及び前記画素電極間に配置されたシールド層とが、前記積層構造の一部をなして備えられてなり、 前記シールド層には、窒化膜が含まれ、前記データ線に沿い、かつ、前記データ線よりも幅広に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
IPC (6件)：
G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H05B33/14
FI (6件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1333 505 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H05B33/14 A
Fターム (31件)：
2H090HA04 ,  2H090HB06X ,  2H090HD05 ,  2H090LA01 ,  2H092GA24 ,  2H092GA25 ,  2H092GA26 ,  2H092GA64 ,  2H092JA24 ,  2H092JB79 ,  2H092KB02 ,  2H092KB04 ,  2H092NA17 ,  2H092NA25 ,  2H092RA05 ,  3K007AB11 ,  3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007CB00 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA37 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (20件)
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