特許
J-GLOBAL ID：201503090501325858

プラズマ処理装置

発明者：
西尾 良司

西尾 良司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-231100
公開番号（公開出願番号）：特開2014-044961
特許番号：特許第5705290号
出願日： 2013年11月07日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 試料台に載置された試料がプラズマ処理される真空処理室と、前記真空処理室の上部に設けられ前記真空処理室を気密に封止する真空処理室蓋と、前記真空処理室の外に設けられた高周波誘導アンテナと、前記真空処理室内に磁場を形成する磁場形成用コイルと、前記高周波誘導アンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、前記磁場形成用コイルに電力を供給する電源とを備えるプラズマ処理装置において、 nを2以上の自然数としたとき、前記高周波誘導アンテナは、n個の高周波誘導アンテナ要素に分割され、前記高周波誘導アンテナの各要素は、それぞれ前記試料台の前記試料が載置される載置面と略平行の平面上に等間隔で周回するように配置されるとともに、 λを前記高周波電源の波長としたとき、前記高周波誘導アンテナ要素のそれぞれに流れる高周波電流の位相を順次λ/nずつ遅延させる遅延手段を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C23C 16/507 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 101 C ,  H01L 21/302 101 D ,  C23C 16/507
引用特許：
出願人引用 (24件)
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審査官引用 (24件)
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