特許
J-GLOBAL ID：201503094489273249
SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桂川 直己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-097609
公開番号（公開出願番号）：特開2013-155111
特許番号：特許第5688780号
出願日： 2013年05月07日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC多結晶基板の表面を半導体デバイス1チップサイズの複数の領域に分割するように当該SiC多結晶基板に溝加工を施す溝形成工程と、
前記溝形成工程によって形成された複数の領域のそれぞれについてマスク部材によってマスクを施し、前記マスクの前記領域の中央部にあたる部分に微小な開口部を形成するマスク工程と、
シード基板となる溝加工を施した前記SiC多結晶基板の前記開口部に準安定溶媒エピタキシー法でヘテロ結晶多形の4H-SiC単結晶を垂直方向及び水平方向にエピタキシャル成長させる液相エピタキシャル成長工程と、
を含む製造方法によって製造されることで、
半導体デバイス1チップサイズの複数の領域に分割するように、表面に溝加工が施された前記SiC多結晶基板と、
少なくとも前記溝加工によって分割された領域に形成された前記マスクと、
前記マスクに前記領域ごとに形成されることで半導体デバイス1チップサイズごとに分割されており、上部に無欠陥領域が存在する4H-SiC単結晶エピタキシャル層と、
を含むことを特徴とするSiC基板。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
, H01L 21/208 D
