特許
J-GLOBAL ID:201503094671948391
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
高松 猛
, 尾澤 俊之
, 長谷川 博道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-161902
公開番号(公開出願番号):特開2015-031850
出願日: 2013年08月02日
公開日(公表日): 2015年02月16日
要約:
【課題】極微細領域(例えば、スペース幅50nm以下の領域)の孤立パターンにおける解像性、及び、PED安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。【解決手段】(A)フェノール性水酸基を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により体積200Å3以上の大きさの酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び、(D)フェノール性水酸基を有する低分子化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)フェノール性水酸基を有する高分子化合物、
(B)活性光線又は放射線の照射により体積200Å3以上の大きさの酸を発生する化合物、
(C)架橋剤、及び、
(D)フェノール性水酸基を有する低分子化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
IPC (4件):
G03F 7/038
, G03F 7/004
, C08F 12/24
, H01L 21/027
FI (5件):
G03F7/038 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, C08F12/24
, H01L21/30 502R
Fターム (53件):
2H125AE03P
, 2H125AE04P
, 2H125AE05P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF34P
, 2H125AF38P
, 2H125AF70P
, 2H125AM10P
, 2H125AM12P
, 2H125AM15P
, 2H125AM16P
, 2H125AM22P
, 2H125AM66P
, 2H125AM93P
, 2H125AN02P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN67P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125CA08
, 2H125CB16
, 2H125CC01
, 2H125CC17
, 2H125CD08P
, 2H125CD11P
, 2H125CD35
, 2H125CD40
, 2H125FA05
, 4J100AB02Q
, 4J100AB07P
, 4J100AB07R
, 4J100AB08R
, 4J100AL08S
, 4J100AR21R
, 4J100BA02H
, 4J100BA03P
, 4J100BA05S
, 4J100BA11S
, 4J100BA15H
, 4J100BA56R
, 4J100BC09H
, 4J100BC43H
, 4J100BC73S
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100CA31
, 4J100HA61
, 4J100JA38
引用特許:
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