レーザー誘起表面ナノ配列構造の作製方法及びそれを用いて作製したデバイス構造

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-125233
公開番号（公開出願番号）：特開2010-269435
特許番号：特許第5674285号
出願日： 2009年05月25日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を1バッチの照射で、前記量子ドット構造である1本の直線状の線を構成するドットのうち隣り合うドットの中心間の距離又は前記量子ドット構造である菱形状若しくは六角形状の頂点若しくは辺を構成するドットのうち隣り合う2つの頂点を結ぶ1つの辺(前記2つの頂点を含む。)における隣り合うドットの中心間の距離が100〜130nmとなるように複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる工程を含み、前記工程は、バッチのレーザー偏光方向が異なる偏光を複数組み合わせて同一場所に逐次的に重畳照射することにより、前記量子ドット構造の周期配列を2次元パターン化するものであり、表面原子の自己組織化機能を利用したものであり、前記レーザー照射におけるレーザービームは、波長532nmのナノ秒パルスレーザーであり、かつ、前記レーザー照射の条件は、2.5×103〜3.5×103J/m2/pulse、2Hzであり、かつ、パルス数が500pulses以上2000pulses以下であり、前記固体材料の表面は、Si(100)面又はSi(111)面であることを特徴とする量子ドット形成表面の製造方法。

IPC (8件)：

B82B 3/00 ( 200 6.01) , B23K 26/352 ( 201 4.01) , B23K 26/00 ( 201 4.01) , B82B 1/00 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 31/04 ( 201 4.01) , H01S 5/34 ( 200 6.01) , H01S 5/50 ( 200 6.01)

FI (9件)：

B82B 3/00 , B23K 26/00 E , B23K 26/00 G , B23K 26/00 H , B82B 1/00 , H01L 29/06 601 D , H01L 31/04 X , H01S 5/34 , H01S 5/50 610

引用文献：

審査官引用 (5件)

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