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J-GLOBAL ID:201602208673698767   整理番号:16A0001875

極端紫外リソグラフィーに使用する化学増幅型レジスト感度のショットノイズによる制約

Shot noise limit of sensitivity of chemically amplified resists used for extreme ultraviolet lithography
著者 (5件):
資料名:
巻: 54  号: 11  ページ: 116501.1-116501.7  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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分解能の向上に伴い,ショットノイズの影響は半導体デバイスの大量生産用リソグラフィーにおいて深刻な問題となっている。本研究では,極端紫外リソグラフィーにおいて,感度増感の見地から化学増感型レジストの感度のショットノイズによる制約を調査した。11nmのハーフピッチを有するライン-アンド-スペースパターンにおける潜像を,モンテカルロ法を使用して計算した。二次電子ぼやけの効果は,ラインエッジ荒さ(LER)のショットノイズ制約を明確化するために排除した。線幅の荒さ(LWR)のための要件が限界寸法(CD)の10%と仮定すると,感度のショットノイズ制約は>100mJcm-2となる。20%のCD LWRに対しては,感度のショットノイズ制約は,10,20,及び30wt%の酸発生剤濃度に対し,それぞれ20,9,及び7mJcm-2であった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  その他の高分子の反応 
引用文献 (32件):
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