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J-GLOBAL ID：201602261738880269   整理番号：16A1305882

多層化グラフェン被覆β-Si₃N₄種を用いたc軸配向Si₃N₄セラミックの製造およびそれの革新的低磁場における配向

Fabrication of c-axis oriented Si₃N₄ ceramics using multilayered-graphene-coated β-Si₃N₄ seeds and their orientation in an innovative low magnetic field

著者 (9件)： Takahashi Takuma (Kanagawa Academy of Science and Technology, KSP, 3-2-1 Sakado, Takatsu-ku, Kawasaki, Kanagawa 213-0012, Japan) ,  Sado Mariko (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Sugimoto Nanako (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Tatami Junichi (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Iijima Motoyuki (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Inagaki Satoshi (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Kubota Yoshihiro (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Yamamoto Isao (Yokohama National University, 79-7, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan) ,  Tanaka Satoshi (Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
資料名： Advanced Powder Technology  (Advanced Powder Technology)
巻： 27  号： 5  ページ： 2005-2011  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W0255A  ISSN： 0921-8831  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c軸配向Si₃N₄セラミックを,低い静止磁場を適用することによって製造した。通常,c軸配向Si₃N₄セラミックは,異方性およびc軸とa軸との間の反磁性磁化率の量を考慮して,10T以上の回転磁場を用いて製造される。本研究で,グラフェンが高い反磁性異方性を示すので,多層化グラフェンを,棒状β-Si₃N₄粒子を配向させるために使用した。多層化グラフェンを,機械的処理プロセスを用いることによって,それらの配向によって棒状β-Si₃N₄粒子上に被覆した。その結果,多層化グラフェン被覆β-Si₃N₄粒子のc軸は,0.4Tにおいてでも適用した磁場と平行方向に配向した。更に,c軸配向Si₃N₄セラミックを,少量の多層化グラフェン被覆β-Si₃N₄粒子を種として加えることによって製造するのに成功した。0.4Tの磁場によって調製したc軸配向Si₃N₄セラミックの熱伝導率は,c軸配向方向において達成した高い値の異方性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  多層構造 ,  グラフェン ,  *セラミック ,  磁場 ,  反磁性 ,  磁化率 ,  異方性 ,  被覆 ,  熱伝導率 ,  配向

著者キーワード (4件)： Silicon nitride ,  Magnetic field orientation ,  Graphene ,  Thermal conductivity

分類 (3件)： 固体の製造・処理一般  (XD03021O) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

引用文献 (39件)：

• G.C. Deeley, J.M. Herbert, N.C. Moore, Dense silicon nitride, Powder Metall. 4 (1961) 145-151.
• K. Komeya, F. Noda, Aluminum nitride and silicon nitride for high temperature gas turbine engines, SAE Technical Paper, 1974, p. 740237.
• M. Mitomo, Pressure sintering of Si₃N₄, J. Mater. Sci. 11 (1976) 1103-1107.
• G.R. Terwillinger, F.F. Lange, Pressureless sintering of Si₃N₄, J. Mater. Sci. 10 (1975) 1169-1174.
• K. Komeya, M. Komatsu, T. Kameda, Y. Goto, A. Tsuge, High-strength silicon nitride ceramics obtained by grain-boundary crystallization, J. Mater. Sci. 26 (1991) 5513-5516.

タイトルに関連する用語 (7件)： 多層化 ,  グラフェン ,  Si3N4 ,  c軸配向 ,  セラミック ,  低磁場 ,  配向