特許
J-GLOBAL ID：201603001335446370

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部

発明者：
野内 英博

野内 英博 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-140494
公開番号（公開出願番号）：特開2016-018886
出願日： 2014年07月08日
公開日（公表日）： 2016年02月01日
要約：
【課題】基板上に形成される膜の特性や基板面内への処理均一性を向上させると共に、製造スループットを向上させる。【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記基板が載置される基板支持部と、前記基板に第1のガスを供給する第1のガス供給部と、前記基板に第2のガスを供給する第2のガス供給部と、複数箇所より供給されたパージガスを均圧するガス均圧部を有し、当該ガス均圧部で均圧されたパージガスを前記基板支持部の外周端側に供給し、少なくとも前記第1のガス若しくは第2のガスのいずれか一方の排気コンダクタンスを調整するコンダクタンス調整部と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容する処理室と、 前記基板が載置される基板支持部と、 前記基板に第1のガスを供給する第1のガス供給部と、 前記基板に第2のガスを供給する第2のガス供給部と、 複数箇所より供給されたパージガスを均圧するガス均圧部が設けられ当該ガス均圧部で均圧されたパージガスを前記基板支持部の外周端側に供給し、少なくとも前記第1のガス若しくは第2のガスのいずれか一方の排気コンダクタンスを調整するコンダクタンス調整部と、 を有する基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/324
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/324 P
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EG01 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM